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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDC634P
Fairchild Semiconductor
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FDC634P - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDC634P
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDC634P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
FDC634P.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 3700

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Spezifikation

FDC634P Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDC634P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDC634P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 779 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Ta)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)
Status erreichen
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDC634P.

Produkteigenschaften FDC634P FDC634P FDC633N FDC637BNZ
Artikelnummer FDC634P FDC634P FDC633N FDC637BNZ
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
FET-Merkmal - - - -
Serie PowerTrench® PowerTrench® - PowerTrench®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±12V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Ta) 3.5A (Ta) 5.2A (Ta) 6.2A (Ta)
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 779 pF @ 10 V 779 pF @ 10 V 538 pF @ 10 V 895 pF @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 30 V 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.5A, 4.5V 80mOhm @ 3.5A, 4.5V 42mOhm @ 5.2A, 4.5V 24mOhm @ 6.2A, 4.5V

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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