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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDC697P
Fairchild Semiconductor
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FDC697P - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDC697P
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDC697P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
8A, 20V, 0.02OHM, P-CHANNEL MOSF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Datenblatt
FDC697P.pdf
vorrätig: 53620

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Anzahl

Spezifikation

FDC697P Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDC697P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDC697P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 FLMP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3524 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDC697P.

Produkteigenschaften FDC697P FDC697P FDC658P FDC658P
Artikelnummer FDC697P FDC697P FDC658P FDC658P
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3524 pF @ 10 V 3524 pF @ 10 V 750 pF @ 15 V 750 pF @ 15 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Ta) 8A (Ta) 4A (Ta) 4A (Ta)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 4.5 V 55 nC @ 4.5 V 12 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 FLMP SuperSOT™-6 FLMP SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Verlustleistung (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 4.5V 20mOhm @ 8A, 4.5V 50mOhm @ 4A, 10V 50mOhm @ 4A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 30 V 30 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 10V 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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