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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD6676S
Fairchild Semiconductor
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FDD6676S - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDD6676S
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDD6676S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FDD6676S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 49990

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Anzahl

Spezifikation

FDD6676S Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDD6676S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDD6676S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4770 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 78A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDD6676S.

Produkteigenschaften FDD6676S FDD6680A FDD6680AS FDD6680A
Artikelnummer FDD6676S FDD6680A FDD6680AS FDD6680A
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 78A (Ta) 14A (Ta), 56A (Tc) 55A (Ta) 14A (Ta), 56A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4770 pF @ 15 V 1425 pF @ 15 V 1200 pF @ 15 V 1425 pF @ 15 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V 29 nC @ 10 V 20 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 1.3W (Ta) 2.8W (Ta), 60W (Tc) 60W (Ta) 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 16A, 10V 9.5mOhm @ 14A, 10V 10.5mOhm @ 12.5A, 10V 9.5mOhm @ 14A, 10V

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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