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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDD8453LZ_F085
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FDD8453LZ_F085 - Fairchild/ON Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDD8453LZ_F085
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDD8453LZ_F085
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Datenblatt
FDD8453LZ_F085.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 66090

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Spezifikation

FDD8453LZ_F085 Tech -Spezifikationen
Fairchild/ON Semiconductor - FDD8453LZ_F085 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild/ON Semiconductor - FDD8453LZ_F085

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
Spannung - Prüfung 3515pF @ 20V  
Spannung - Durchschlag D-PAK (TO-252AA)  
VGS (th) (Max) @ Id 6.7 mOhm @ 15A, 10V  
Vgs (Max) 4.5V, 10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®  
RoHS Status Digi-Reel®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50A (Tc)  
Polarisation TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Andere Namen FDD8453LZ_F085DKR  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)  
Hersteller Standard Vorlaufzeit 13 Weeks  
Hersteller-Teilenummer FDD8453LZ_F085  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 64nC @ 10V  
IGBT-Typ ±20V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3V @ 250µA  
FET-Merkmal N-Channel  
Expanded Beschreibung N-Channel 40V 50A (Tc) 118W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)  
Drain-Source-Spannung (Vdss) -  
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 50A DPAK  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40V  
Kapazitätsverhältnis 118W (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild/ON Semiconductor FDD8453LZ_F085.

Produkteigenschaften FDD8453LZ_F085 FDD850N10L FDD8580 FDD850N10L
Artikelnummer FDD8453LZ_F085 FDD850N10L FDD8580 FDD850N10L
Hersteller Fairchild/ON Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Expanded Beschreibung N-Channel 40V 50A (Tc) 118W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) - - -
RoHS Status Digi-Reel® - - -
IGBT-Typ ±20V - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 6.7 mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40V 15.7A (Tc) 35A (Tc) 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50A (Tc) 75mOhm @ 12A, 10V 9mOhm @ 35A, 10V 75mOhm @ 12A, 10V
Spannung - Prüfung 3515pF @ 20V - - -
Polarisation TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - - -
Spannung - Durchschlag D-PAK (TO-252AA) - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 64nC @ 10V 1465 pF @ 25 V 1445 pF @ 10 V 1465 pF @ 25 V
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Vgs (Max) 4.5V, 10V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal N-Channel - - -
Hersteller Standard Vorlaufzeit 13 Weeks - - -
Hersteller-Teilenummer FDD8453LZ_F085 - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) - 100 V 20 V 100 V
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 50A DPAK - - -
Kapazitätsverhältnis 118W (Tc) - - -
Andere Namen FDD8453LZ_F085DKR - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3V @ 250µA 28.9 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 28.9 nC @ 10 V

FDD8453LZ_F085 Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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