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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDFC2P100
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDFC2P100 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDFC2P100
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDFC2P100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3A SUPERSOT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
FDFC2P100.pdf
RoHS Status
vorrätig: 260200

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Anzahl

Spezifikation

FDFC2P100 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDFC2P100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDFC2P100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 3A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 445 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDFC2P100.

Produkteigenschaften FDFC2P100 FDFMA2P029Z FDFC2P100 FDFMA2N028Z
Artikelnummer FDFC2P100 FDFMA2P029Z FDFC2P100 FDFMA2N028Z
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 3A, 4.5V 95mOhm @ 3.1A, 4.5V 150mOhm @ 3A, 4.5V 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±12V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 445 pF @ 10 V 720 pF @ 10 V 445 pF @ 10 V 455 pF @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-VDFN Exposed Pad SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-VDFN Exposed Pad
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 4.7 nC @ 10 V 6 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta) 3.1A (Ta) 3A (Ta) 3.7A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse SuperSOT™-6 6-MicroFET (2x2) SuperSOT™-6 6-MicroFET (2x2)
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) 1.4W (Tj) 1.5W (Ta) 1.4W (Tj)
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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