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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS0346
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMS0346 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDMS0346
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS0346
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
FDMS0346.pdf
vorrätig: 244530

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Anzahl

Spezifikation

FDMS0346 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDMS0346 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDMS0346

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Power56  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 17A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 33W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1625 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Ta), 28A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDMS0346.

Produkteigenschaften FDMS0346 FDMS0343S FDMS0352S FDMS037N08B
Artikelnummer FDMS0346 FDMS0343S FDMS0352S FDMS037N08B
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Serie PowerTrench® PowerTrench® * PowerTrench®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 10V
Paket Bulk Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 33W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) - 830mW (Ta), 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 17A, 10V 1.95mOhm @ 28A, 10V - 3.7mOhm @ 50A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 1mA - 4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel - N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V - 75 V
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1625 pF @ 13 V 4515 pF @ 13 V - 5915 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V - 100 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Ta), 28A (Tc) 28A (Ta), 49A (Tc) - 100A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse Power56 8-PQFN (5x6), Power56 - 8-PQFN (5x6)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN - 8-PowerTDFN

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Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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