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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS8680
Fairchild Semiconductor
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FDMS8680 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDMS8680
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS8680
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS8680.pdf
vorrätig: 5230

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Anzahl

Spezifikation

FDMS8680 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDMS8680 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDMS8680

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1590 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 35A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDMS8680.

Produkteigenschaften FDMS8680 FDMS8820 FDMS8672AS FDMS8690
Artikelnummer FDMS8680 FDMS8820 FDMS8672AS FDMS8690
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-MLP (5x6), Power56
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 70W (Tc) 2.5W (Ta), 37.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1590 pF @ 15 V 5315 pF @ 15 V 2600 pF @ 15 V 1680 pF @ 15 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 88 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 14A, 10V 2mOhm @ 28A, 10V 5mOhm @ 18A, 10V 9mOhm @ 14A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 35A (Tc) 28A (Ta), 116A (Tc) 18A (Ta), 28A (Tc) 14A (Ta), 27A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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