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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS8888
Fairchild Semiconductor
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FDMS8888 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDMS8888
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS8888
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS8888.pdf
vorrätig: 3710

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Anzahl

Spezifikation

FDMS8888 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDMS8888 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDMS8888

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 13.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1585 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.5A (Ta), 21A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDMS8888.

Produkteigenschaften FDMS8888 FDMS9410-F085 FDMS8888 FDMS8848NZ
Artikelnummer FDMS8888 FDMS9410-F085 FDMS8888 FDMS8848NZ
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Serie PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.5A (Ta), 21A (Tc) 50A (Tc) 13.5A (Ta), 21A (Tc) 22.8A (Ta), 49A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1585 pF @ 15 V 1790 pF @ 20 V 1585 pF @ 15 V 8075 pF @ 20 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 13.5A, 10V 4.4mOhm @ 50A, 10V 9.5mOhm @ 13.5A, 10V 3.1mOhm @ 22.8A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 40 V 30 V 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) Power56 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 75W (Tj) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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