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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDP2532
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDP2532 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDP2532
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDP2532
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
FDP2532.pdf
vorrätig: 5480

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Anzahl

Spezifikation

FDP2532 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDP2532 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDP2532

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 33A, 10V  
Verlustleistung (max) 310W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5870 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Ta), 79A (Tc)  
Grundproduktnummer FDP25  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDP2532.

Produkteigenschaften FDP2532 FDP20N50F FDP20N50 FDP2572
Artikelnummer FDP2532 FDP20N50F FDP20N50 FDP2572
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Ta), 79A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc) 4A (Ta), 29A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 59.5 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie PowerTrench® UniFET™ UniFET™ PowerTrench®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 10V 6V, 10V
Paket Bulk Tube Tube Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 33A, 10V 260mOhm @ 10A, 10V 230mOhm @ 10A, 10V 54mOhm @ 9A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5870 pF @ 25 V 3390 pF @ 25 V 3120 pF @ 25 V 1770 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 500 V 500 V 150 V
Verlustleistung (max) 310W (Tc) 250W (Tc) 250W (Tc) 135W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Grundproduktnummer FDP25 FDP20 FDP20 -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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