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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDP6676
Fairchild Semiconductor
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FDP6676 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDP6676
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDP6676
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
FDP6676.pdf
vorrätig: 43460

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Spezifikation

FDP6676 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDP6676 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDP6676

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 42A, 10V  
Verlustleistung (max) 93W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5324 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 84A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDP6676.

Produkteigenschaften FDP6676 FDP61N20 FDP7030L FDP6035L
Artikelnummer FDP6676 FDP61N20 FDP7030L FDP6035L
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® UniFET™ PowerTrench® PowerTrench®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V 75 nC @ 10 V 33 nC @ 5 V 46 nC @ 10 V
Paket Bulk Tube Tube Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 42A, 10V 41mOhm @ 30.5A, 10V 7mOhm @ 40A, 10V 11mOhm @ 26A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 84A (Ta) 61A (Tc) 80A (Ta) 58A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5324 pF @ 15 V 3380 pF @ 25 V 2440 pF @ 15 V 1230 pF @ 15 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 93W (Tc) 417W (Tc) 68W (Tc) 75W (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±30V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 200 V 30 V 30 V

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Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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