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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDPF18N20FT
Fairchild Semiconductor
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FDPF18N20FT - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDPF18N20FT
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDPF18N20FT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FDPF18N20FT Datasheet.pdf
vorrätig: 5440

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Spezifikation

FDPF18N20FT Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDPF18N20FT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDPF18N20FT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) 41W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDPF18N20FT.

Produkteigenschaften FDPF18N20FT FDPF18N50 FDPF16N50T FDPF18N20FT
Artikelnummer FDPF18N20FT FDPF18N50 FDPF16N50T FDPF18N20FT
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 9A, 10V 265mOhm @ 9A, 10V 380mOhm @ 8A, 10V 140mOhm @ 9A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V 2860 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V 1180 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie UniFET™ UniFET™ UniFET™ UniFET™
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Verlustleistung (max) 41W (Tc) 38.5W (Tc) 38.5W (Tc) 41W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 500 V 500 V 200 V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) 18A (Tc) 16A (Tc) 18A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Bulk Bulk Tube Tube

FDPF18N20FT Datenblatt PDF

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Datenblätter
FDPF18N20FT Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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