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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDS6982
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDS6982 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDS6982
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDS6982
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS6982.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4690

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Anzahl

Spezifikation

FDS6982 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDS6982 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDS6982

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6.3A, 10V  
Leistung - max 900mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.3A, 8.6A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDS69  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDS6982.

Produkteigenschaften FDS6982 FDS6975 FDS6982S FDS6982
Artikelnummer FDS6982 FDS6975 FDS6982S FDS6982
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V 20nC @ 5V 12nC @ 5V 12nC @ 5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 10V 1540pF @ 15V 2040pF @ 10V 760pF @ 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Serie - PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Leistung - max 900mW 900mW 900mW 900mW
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer FDS69 FDS69 FDS69 FDS69
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6.3A, 10V 32mOhm @ 6A, 10V 28mOhm @ 6.3A, 10V 28mOhm @ 6.3A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.3A, 8.6A 6A 6.3A, 8.6A 6.3A, 8.6A

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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