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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS8449
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDS8449 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDS8449
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDS8449
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS8449.pdf
vorrätig: 4800

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Anzahl

Spezifikation

FDS8449 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDS8449 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDS8449

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 7.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.6A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDS8449.

Produkteigenschaften FDS8449 FDS8447 FDS86140 FDS8433A
Artikelnummer FDS8449 FDS8447 FDS86140 FDS8433A
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 7.6A, 10V 10.5mOhm @ 12.8A, 10V 9.8mOhm @ 11.2A, 10V 47mOhm @ 5A, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.6A (Ta) 12.8A (Ta) 11.2A (Ta) 5A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 20 V 2600 pF @ 20 V 2580 pF @ 50 V 1130 pF @ 10 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) 2.5W (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 100 V 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V 49 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 28 nC @ 5 V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±8V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 2.5V, 4.5V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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