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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQI2P25TU
Fairchild Semiconductor
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FQI2P25TU - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FQI2P25TU
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FQI2P25TU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
FQI2P25TU.pdf
RoHS Status
vorrätig: 60560

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Anzahl

Spezifikation

FQI2P25TU Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FQI2P25TU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FQI2P25TU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 1.15A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 52W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FQI2P25TU.

Produkteigenschaften FQI2P25TU FQI27N25TU FQI27N25TU FQI2P25TU
Artikelnummer FQI2P25TU FQI27N25TU FQI27N25TU FQI2P25TU
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 52W (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) 3.13W (Ta), 52W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 8.5 nC @ 10 V
Paket Tube Bulk Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 2450 pF @ 25 V 2450 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 1.15A, 10V 110mOhm @ 12.75A, 10V 110mOhm @ 12.75A, 10V 4Ohm @ 1.15A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Tc) 25.5A (Tc) 25.5A (Tc) 2.3A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 250 V 250 V 250 V
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Lieferung

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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    +00852 9146 4856

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