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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQP3N30
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FQP3N30 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FQP3N30
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FQP3N30
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
FQP3N30.pdf
vorrätig: 4050

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Anzahl

Spezifikation

FQP3N30 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FQP3N30 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FQP3N30

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 1.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 55W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.2A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FQP3N30.

Produkteigenschaften FQP3N30 FQP3N80C FQP3N25 FQP34N20
Artikelnummer FQP3N30 FQP3N80C FQP3N25 FQP34N20
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 800 V 250 V 200 V
Paket Bulk Tube Tube Bulk
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Verlustleistung (max) 55W (Tc) 107W (Tc) 45W (Tc) 180W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.2A (Tc) 3A (Tc) 2.8A (Tc) 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 1.6A, 10V 4.8Ohm @ 1.5A, 10V 2.2Ohm @ 1.4A, 10V 75mOhm @ 15.5A, 10V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V 705 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V 16.5 nC @ 10 V 5.2 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -

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Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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