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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF75321S3S
Fairchild Semiconductor
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HUF75321S3S - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
HUF75321S3S
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-HUF75321S3S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
HUF75321S3S.pdf
vorrätig: 87940

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Spezifikation

HUF75321S3S Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - HUF75321S3S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - HUF75321S3S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (TO-263)  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 93W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor HUF75321S3S.

Produkteigenschaften HUF75321S3S HUF75329P3 HUF75329D3S HUF75321D3ST
Artikelnummer HUF75321S3S HUF75329P3 HUF75329D3S HUF75321D3ST
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 20 V 75 nC @ 20 V 65 nC @ 20 V 44 nC @ 20 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V 1060 pF @ 25 V 1060 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 35A, 10V 24mOhm @ 49A, 10V 26mOhm @ 20A, 10V 36mOhm @ 20A, 10V
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (TO-263) TO-220-3 TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak)
Verlustleistung (max) 93W (Tc) 128W (Tc) 128W (Tc) 93W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 49A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Bulk

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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