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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUF75939P3
Fairchild Semiconductor
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HUF75939P3 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
HUF75939P3
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-HUF75939P3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 22A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
HUF75939P3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 29404

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Anzahl

Spezifikation

HUF75939P3 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - HUF75939P3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - HUF75939P3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 22A, 10V  
Verlustleistung (max) 180W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor HUF75939P3.

Produkteigenschaften HUF75939P3 HUF75842S3ST HUF76013D3ST HUF75925D3ST
Artikelnummer HUF75939P3 HUF75842S3ST HUF76013D3ST HUF75925D3ST
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc) 43A (Tc) 20A (Tc) 11A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 D2PAK (TO-263) TO-252AA TO-252, (D-Pak)
Verlustleistung (max) 180W (Tc) 230W (Tc) 50W (Tc) 100W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 2730 pF @ 25 V 624 pF @ 20 V 1030 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 20 V 175 nC @ 20 V 17 nC @ 10 V 78 nC @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 22A, 10V 42mOhm @ 43A, 10V 22mOhm @ 20A, 10V 275mOhm @ 11A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 150 V 20 V 200 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tube Bulk Tape & Reel (TR) Bulk

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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