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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFM220BTF
Fairchild Semiconductor
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IRFM220BTF - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
IRFM220BTF
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-IRFM220BTF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
IRFM220BTF.pdf
vorrätig: 112190

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Anzahl

Spezifikation

IRFM220BTF Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - IRFM220BTF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - IRFM220BTF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-4  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 570mA, 10V  
Verlustleistung (max) 2.4W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.13A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor IRFM220BTF.

Produkteigenschaften IRFM220BTF IRFM460 IRFM210BTF IRFM360
Artikelnummer IRFM220BTF IRFM460 IRFM210BTF IRFM360
Hersteller Fairchild Semiconductor Infineon Technologies Fairchild Semiconductor IR
Verlustleistung (max) 2.4W (Tc) 250W (Tc) 2W (Tc) -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V -
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 9.3 nC @ 10 V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 500 V 200 V -
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-4 TO-254AA SOT-223-4 -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) TO-261-4, TO-261AA -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Serie - HEXFET® - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.13A (Tc) 19A (Tc) 770mA (Tc) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 570mA, 10V 270mOhm @ 12A, 10V 1.5Ohm @ 390mA, 10V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 25 V 4300 pF @ 25 V 225 pF @ 25 V -
Paket Bulk Bag Bulk -

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Lieferzeit

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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