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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFW644BTM
Fairchild Semiconductor
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IRFW644BTM - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
IRFW644BTM
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-IRFW644BTM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFW644BTM.pdf
vorrätig: 134060

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Spezifikation

IRFW644BTM Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - IRFW644BTM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - IRFW644BTM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 7A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 139W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor IRFW644BTM.

Produkteigenschaften IRFW644BTM IRFW640BTM IRFW720BTM IRFW730BTM
Artikelnummer IRFW644BTM IRFW640BTM IRFW720BTM IRFW730BTM
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 7A, 10V 180mOhm @ 9A, 10V 1.75Ohm @ 1.65A, 10V 1Ohm @ 2.75A, 10V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D2PAK
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 139W (Tc) 3.13W (Ta) 3.13W (Ta), 49W (Tc) 3.13W (Ta), 73W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 200 V 400 V 400 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V 1000 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc) 18A (Tc) 3.3A (Tc) 5.5A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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