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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelKSC945CYBU
Fairchild Semiconductor
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KSC945CYBU - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
KSC945CYBU
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-KSC945CYBU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 50V 0.15A TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Datenblatt
KSC945CYBU.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1206000

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Anzahl

Spezifikation

KSC945CYBU Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - KSC945CYBU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - KSC945CYBU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie -  
Leistung - max 250 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 300MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 6V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 150 mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor KSC945CYBU.

Produkteigenschaften KSC945CYBU KSC945CGTA KSC945YBU KSC945YTA
Artikelnummer KSC945CYBU KSC945CGTA KSC945YBU KSC945YTA
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 6V 200 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 6V
Paket Bulk Cut Tape (CT) Bulk Cut Tape (CT)
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Leistung - max 250 mW 250 mW 250 mW 250 mW
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA 300mV @ 10mA, 100mA 300mV @ 10mA, 100mA 300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie - - - -
Frequenz - Übergang 300MHz 300MHz 300MHz 300MHz
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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