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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMMBT6428
Fairchild Semiconductor
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MMBT6428 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
MMBT6428
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-MMBT6428
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 50V 0.5A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
MMBT6428.pdf
vorrätig: 4270

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Spezifikation

MMBT6428 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - MMBT6428 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - MMBT6428

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Leistung - max 350 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 700MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 250 @ 100µA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor MMBT6428.

Produkteigenschaften MMBT6428 MMBT6427LT1G MMBT6517LT1G MMBT6428LT1G
Artikelnummer MMBT6428 MMBT6427LT1G MMBT6517LT1G MMBT6428LT1G
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA 1µA 50nA (ICBO) 100nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 500 mA 100 mA 200 mA
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA 1.5V @ 500µA, 500mA 1V @ 5mA, 50mA 600mV @ 5mA, 100mA
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 350 mW 225 mW 225 mW 225 mW
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 40 V 350 V 50 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor-Typ NPN NPN - Darlington NPN NPN
Frequenz - Übergang 700MHz - 200MHz 700MHz
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 250 @ 100µA, 5V 20000 @ 100mA, 5V 20 @ 50mA, 10V 250 @ 100µA, 5V

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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