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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelMTD3055VL
Fairchild Semiconductor
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MTD3055VL - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
MTD3055VL
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-MTD3055VL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
MTD3055VL.pdf
vorrätig: 3690

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Anzahl

Spezifikation

MTD3055VL Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - MTD3055VL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - MTD3055VL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 6A, 5V  
Verlustleistung (max) 3.9W (Ta), 48W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor MTD3055VL.

Produkteigenschaften MTD3055VL MTD3055VL MTD3055V MTD3055V
Artikelnummer MTD3055VL MTD3055VL MTD3055V MTD3055V
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Serie - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 6A, 5V 180mOhm @ 6A, 5V 150mOhm @ 6A, 10V 150mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 5 V 10 nC @ 5 V 17 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 12A (Tc) 12A (Ta) 12A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 3.9W (Ta), 48W (Tc) 3.9W (Ta), 48W (Tc) 3.9W (Ta), 48W (Tc) 3.9W (Ta), 48W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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