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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRF1K49157
Fairchild Semiconductor
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RF1K49157 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RF1K49157
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-RF1K49157
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
RF1K49157.pdf
vorrätig: 88630

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Spezifikation

RF1K49157 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - RF1K49157 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - RF1K49157

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1575 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.3A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor RF1K49157.

Produkteigenschaften RF1K49157 RF1S22N10SM RF1K4909396 RF1K4909096
Artikelnummer RF1K49157 RF1S22N10SM RF1K4909396 RF1K4909096
Hersteller Fairchild Semiconductor Harris Corporation Harris Corporation Harris Corporation
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Verlustleistung (max) 2W (Ta) - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 100 V - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 20 V - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.3A, 10V - - -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC TO-263AB - -
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.3A (Ta) 22A - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1575 pF @ 25 V - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB - -
Serie - - * *
FET-Merkmal - - - -

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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