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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRFD16N05
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

RFD16N05 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RFD16N05
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-RFD16N05
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
RFD16N05.pdf
vorrätig: 46710

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Spezifikation

RFD16N05 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - RFD16N05 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - RFD16N05

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 72W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc)  
Grundproduktnummer RFD16  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor RFD16N05.

Produkteigenschaften RFD16N05 RFD16N05LSM RFD16N05L RFD16N03LSM9A
Artikelnummer RFD16N05 RFD16N05LSM RFD16N05L RFD16N03LSM9A
Hersteller Fairchild Semiconductor Harris Corporation Harris Corporation Harris Corporation
Verlustleistung (max) 72W (Tc) 60W (Tc) 60W (Tc) -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Bulk Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 16A, 10V 47mOhm @ 16A, 5V 47mOhm @ 16A, 5V -
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V - - -
Grundproduktnummer RFD16 RFD16 - -
Supplier Device-Gehäuse I-PAK TO-252AA TO-251AA -
Vgs (Max) ±20V ±10V ±10V -
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2V @ 250mA 2V @ 250mA -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V 50 V 50 V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 20 V 80 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc) 16A (Tc) 16A (Tc) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4V, 5V 4V, 5V -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole -

Lieferung

Lieferzeit

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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