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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSFP9Z14
Fairchild Semiconductor
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SFP9Z14 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SFP9Z14
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-SFP9Z14
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
P-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
SFP9Z14.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4660

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Anzahl

Spezifikation

SFP9Z14 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - SFP9Z14 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - SFP9Z14

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 3.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 38W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.7A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor SFP9Z14.

Produkteigenschaften SFP9Z14 SFP9Z24 SFP9630 SFP9Z34
Artikelnummer SFP9Z14 SFP9Z24 SFP9630 SFP9Z34
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 3.4A, 10V 280mOhm @ 4.9A, 10V 800mOhm @ 3.3A, 10V 140mOhm @ 7A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.7A (Tc) 9.7A (Tc) 6.5A (Tc) 18A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 200 V 60 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Paket Bulk Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 38W (Tc) 49W (Tc) 70W (Tc) 82W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V 965 pF @ 25 V 1155 pF @ 25 V
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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