Spezifikation
SGL50N60RUFDTU Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - SGL50N60RUFDTU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - SGL50N60RUFDTU
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
Fairchild (onsemi) |
|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
600 V |
|
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic |
2.8V @ 15V, 50A |
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| Testbedingung |
300V, 50A, 5.9Ohm, 15V |
|
| Td (ein / aus) bei 25 ° C |
26ns/66ns |
|
| Schaltenergie |
1.68mJ (on), 1.03mJ (off) |
|
| Supplier Device-Gehäuse |
HPM F2 |
|
| Serie |
- |
|
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) |
100 ns |
|
| Leistung - max |
250 W |
|
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Verpackung / Gehäuse |
TO-264-3, TO-264AA |
|
| Paket |
Bulk |
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| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
|
| Befestigungsart |
Through Hole |
|
| Eingabetyp |
Standard |
|
| IGBT-Typ |
- |
|
| Gate-Ladung |
145 nC |
|
| Strom - Collector Pulsed (Icm) |
150 A |
|
| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
80 A |
|
| Grundproduktnummer |
SGL50N60 |
|
Lieferung
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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SGL41-30-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 1A GL41
SGL41-40-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
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