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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI6963DQ
Fairchild Semiconductor
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SI6963DQ - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SI6963DQ
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-SI6963DQ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
P-CHANNEL MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
SI6963DQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 142520

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Spezifikation

SI6963DQ Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - SI6963DQ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - SI6963DQ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 3.8A, 4.5V  
Leistung - max 600mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1015pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Ta)  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI6963  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor SI6963DQ.

Produkteigenschaften SI6963DQ SI6966DQ-T1-E3 SI6955ADQ-T1-E3 SI6966DQ-T1-GE3
Artikelnummer SI6963DQ SI6966DQ-T1-E3 SI6955ADQ-T1-E3 SI6966DQ-T1-GE3
Hersteller Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1.4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 3.8A, 4.5V 30mOhm @ 4.5A, 4.5V 80mOhm @ 2.9A, 10V 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 600mW (Ta) 830mW 830mW 830mW
Serie PowerTrench® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 30V 20V
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Ta) 4A 2.5A 4A
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Grundproduktnummer SI6963 SI6966 SI6955 SI6966
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V 8nC @ 5V 20nC @ 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1015pF @ 10V - - -
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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