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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSI9926DY
Fairchild Semiconductor
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SI9926DY - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SI9926DY
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-SI9926DY
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
SI9926DY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 207560

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Anzahl

Spezifikation

SI9926DY Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - SI9926DY Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - SI9926DY

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Leistung - max 900mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer SI9926  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor SI9926DY.

Produkteigenschaften SI9926DY SI9926BDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-E3
Artikelnummer SI9926DY SI9926BDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-E3
Hersteller Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta) 6.2A 8A 8A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Grundproduktnummer SI9926 SI9926 SI9926 SI9926
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Leistung - max 900mW (Ta) 1.14W 3.1W 3.1W
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V 33nC @ 10V 33nC @ 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 10V - 1200pF @ 10V 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 20mOhm @ 8.2A, 4.5V 18mOhm @ 8.3A, 4.5V 18mOhm @ 8.3A, 4.5V

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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