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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelSS9011HBU
Fairchild Semiconductor
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SS9011HBU - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SS9011HBU
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-SS9011HBU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 30V 0.03A TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Datenblatt
SS9011HBU.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2286050

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Anzahl

Spezifikation

SS9011HBU Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - SS9011HBU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - SS9011HBU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie -  
Leistung - max 400 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 2MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 97 @ 1mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 30 mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor SS9011HBU.

Produkteigenschaften SS9011HBU SS9012HBU SS9014CBU SS9014ABU
Artikelnummer SS9011HBU SS9012HBU SS9014CBU SS9014ABU
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 500nA (ICBO) 50nA (ICBO)
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA 600mV @ 50mA, 500mA 300mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 5mA, 100mA
Serie - - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V 20 V 45 V 45 V
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Leistung - max 400 mW 625 mW 450 mW 450 mW
Transistor-Typ NPN PNP NPN NPN
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 97 @ 1mA, 5V 144 @ 50mA, 1V 200 @ 1mA, 5V 60 @ 1mA, 5V
Frequenz - Übergang 2MHz - 270MHz 270MHz
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Kollektor (Ic) (max) 30 mA 500 mA 100 mA 100 mA

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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