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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBC857B,215
NXP USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BC857B,215 - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
BC857B,215
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-BC857B,215
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
NOW NEXPERIA BC857B - SMALL SIGN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
BC857B,215 Datasheet.pdf
vorrätig: 35070

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Spezifikation

BC857B,215 Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - BC857B,215 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - BC857B,215

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 45 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TO-236AB  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Leistung - max 250 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 100MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 220 @ 2mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer BC857  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. BC857B,215.

Produkteigenschaften BC857B,215 BC857B E6327 BC857B BC857B,215
Artikelnummer BC857B,215 BC857B E6327 BC857B BC857B,215
Hersteller NXP USA Inc. Infineon Technologies Diotec Semiconductor Nexperia USA Inc.
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 220 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 45 V 45 V 45 V 45 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Leistung - max 250 mW 330 mW 250 mW 250 mW
Frequenz - Übergang 100MHz 250MHz 100MHz 100MHz
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
Grundproduktnummer BC857 BC857 BC857 BC857
Serie Automotive, AEC-Q101 - - Automotive, AEC-Q101
Supplier Device-Gehäuse TO-236AB PG-SOT23 SOT-23-3 (TO-236) TO-236AB
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA

BC857B,215 Datenblatt PDF

Laden Sie BC857B,215 PDF -Datenblätter und NXP USA Inc. -Dokumentation für BC857B,215 - NXP USA Inc. herunter.

Datenblätter
BC857B,215 Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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