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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBC858W,135
NXP USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BC858W,135 - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
BC858W,135
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-BC858W,135
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
NOW NEXPERIA BC858W - SMALL SIGN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
BC858W,135.pdf
vorrätig: 1526800

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Anzahl

Spezifikation

BC858W,135 Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - BC858W,135 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - BC858W,135

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-323  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Leistung - max 200 mW  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 100MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 125 @ 2mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. BC858W,135.

Produkteigenschaften BC858W,135 BC859B BC859AW BC858C_R1_00001
Artikelnummer BC858W,135 BC859B BC859AW BC858C_R1_00001
Hersteller NXP USA Inc. Fairchild Semiconductor Diotec Semiconductor Panjit International Inc.
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 125 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V 125 @ 2mA, 5V 420 @ 2mA, 5V
Serie Automotive, AEC-Q101 - - BC856
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Frequenz - Übergang 100MHz 100MHz 100MHz 200MHz
Supplier Device-Gehäuse SOT-323 SOT-23-3 (TO-236) SOT-323 SOT-23
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V 30 V 30 V 30 V
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leistung - max 200 mW 250 mW 200 mW 330 mW

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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BC858W,135

NXP USA Inc.
32D-BC858W,135

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