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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBUK6213-30A,118
NXP USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BUK6213-30A,118 - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
BUK6213-30A,118
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-BUK6213-30A,118
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANSISTOR >30MHZ
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
BUK6213-30A.pdf
vorrätig: 165790

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Spezifikation

BUK6213-30A,118 Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - BUK6213-30A,118 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - BUK6213-30A,118

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 102W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1986 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. BUK6213-30A,118.

Produkteigenschaften BUK6213-30A,118 BUK6217-55C BUK6218-40C BUK6209-30C
Artikelnummer BUK6213-30A,118 BUK6217-55C BUK6218-40C BUK6209-30C
Hersteller NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
FET-Merkmal - - - -
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ * Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ *
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V - 16mOhm @ 10A, 10V -
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V - 22 nC @ 10 V -
Typ FET N-Channel - N-Channel -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc) - 42A (Tc) -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA - 2.8V @ 1mA -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1986 pF @ 25 V - 1170 pF @ 25 V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -
Vgs (Max) ±16V - - -
Supplier Device-Gehäuse DPAK - DPAK -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V -
Verlustleistung (max) 102W (Tc) - 60W (Tc) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V - 40 V -

BUK6213-30A,118 Datenblatt PDF

Laden Sie BUK6213-30A,118 PDF -Datenblätter und NXP USA Inc. -Dokumentation für BUK6213-30A,118 - NXP USA Inc. herunter.

Datenblätter
BUK6213-30A.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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