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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBUK9M10-30EX
NXP USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BUK9M10-30EX - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
BUK9M10-30EX
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-BUK9M10-30EX
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
BUK9M10-30E - N-CHANNEL 30V, LOG
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Datenblatt
BUK9M10-30E.pdf
vorrätig: 5200

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Spezifikation

BUK9M10-30EX Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - BUK9M10-30EX Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - BUK9M10-30EX

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse LFPAK33  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 55W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1249 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.2 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 54A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. BUK9M10-30EX.

Produkteigenschaften BUK9M10-30EX BUK9M14-40EX BUK9M15-40HX BUK9M120-100EX
Artikelnummer BUK9M10-30EX BUK9M14-40EX BUK9M15-40HX BUK9M120-100EX
Hersteller NXP USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA 2.1V @ 1mA 2.2V @ 1mA 2.05V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.2 nC @ 5 V 11.3 nC @ 5 V 16.2 nC @ 10 V 8.8 nC @ 5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V 4.5V, 10V 5V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±16V ±10V
Supplier Device-Gehäuse LFPAK33 LFPAK33 LFPAK33 LFPAK33
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 54A (Tc) 44A (Tc) 30A (Ta) 11.5A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 40 V 40 V 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 15A, 10V 11mOhm @ 15A, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 119mOhm @ 5A, 10V
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Verlustleistung (max) 55W (Tc) 55W (Tc) 44W (Ta) 44W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1249 pF @ 25 V 1211 pF @ 25 V 1026 pF @ 25 V 882 pF @ 25 V
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

BUK9M10-30EX Datenblatt PDF

Laden Sie BUK9M10-30EX PDF -Datenblätter und NXP USA Inc. -Dokumentation für BUK9M10-30EX - NXP USA Inc. herunter.

Datenblätter
BUK9M10-30E.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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