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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBUK9Y59-60E,115
NXP USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BUK9Y59-60E,115 - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
BUK9Y59-60E,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-BUK9Y59-60E,115
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL 60 V, 59 MILLI OHMS LO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-100, SOT-669
Datenblatt
BUK9Y59-60E.pdf
vorrätig: 4390

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Spezifikation

BUK9Y59-60E,115 Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - BUK9Y59-60E,115 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - BUK9Y59-60E,115

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse LFPAK56, Power-SO8  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 37W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 715 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16.7A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. BUK9Y59-60E,115.

Produkteigenschaften BUK9Y59-60E,115 BUK9Y58-75B,115 BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115
Artikelnummer BUK9Y59-60E,115 BUK9Y58-75B,115 BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115
Hersteller NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc.
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16.7A (Tc) 20.73A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc)
Verlustleistung (max) 37W (Tc) 60.4W (Tc) 195W (Tc) 195W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 715 pF @ 25 V 1137 pF @ 25 V 6319 pF @ 25 V 6319 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V, 10V 5V 5V
Vgs (Max) ±10V ±15V ±10V ±10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA 2.15V @ 1mA 2.1V @ 1mA 2.1V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 75 V 60 V 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 10.7 nC @ 5 V 39.4 nC @ 5 V 39.4 nC @ 5 V
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 5A, 10V 53mOhm @ 10A, 10V 5.2mOhm @ 25A, 10V 5.2mOhm @ 25A, 10V
FET-Merkmal - - - -

BUK9Y59-60E,115 Datenblatt PDF

Laden Sie BUK9Y59-60E,115 PDF -Datenblätter und NXP USA Inc. -Dokumentation für BUK9Y59-60E,115 - NXP USA Inc. herunter.

Datenblätter
BUK9Y59-60E.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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