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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedPDTC114YE,115
NXP USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PDTC114YE,115 - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PDTC114YE,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PDTC114YE,115
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
PDTC114YE,115.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3950

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Anzahl

Spezifikation

PDTC114YE,115 Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - PDTC114YE,115 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - PDTC114YE,115

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SC-75  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Leistung - max 150 mW  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer PDTC114  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. PDTC114YE,115.

Produkteigenschaften PDTC114YE,115 PDTC114TU,115 PDTC114YMB315 PDTC114YT
Artikelnummer PDTC114YE,115 PDTC114TU,115 PDTC114YMB315 PDTC114YT
Hersteller NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V - -
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms 10 kOhms - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA 1µA - -
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 SC-70, SOT-323 - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 5mA, 5V 200 @ 1mA, 5V - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA 150mV @ 500µA, 10mA - -
Grundproduktnummer PDTC114 PDTC114 - -
Supplier Device-Gehäuse SC-75 SOT-323 - -
Serie - - * *
Leistung - max 150 mW 200 mW - -
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased - -

PDTC114YE,115 Datenblatt PDF

Laden Sie PDTC114YE,115 PDF -Datenblätter und NXP USA Inc. -Dokumentation für PDTC114YE,115 - NXP USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Umweltinformationen
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Advance Notice SOT416 Devices 02/Sep/2014.pdf Multiple Devices 29/Dec/2014.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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PDTC114YE,115

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32D-PDTC114YE,115

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