PH8030L,115 Tech -Spezifikationen
NXP Semiconductors / Freescale - PH8030L,115 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP Semiconductors / Freescale - PH8030L,115
Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
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Hersteller | NXP Semiconductors | |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA | |
Vgs (Max) | ±20V | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Supplier Device-Gehäuse | LFPAK56, Power-SO8 | |
Serie | TrenchMOS™ | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 25A, 10V | |
Verlustleistung (max) | 62.5W (Tc) | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Verpackung / Gehäuse | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
Andere Namen | 934058818115 PH8030L T/R PH8030L T/R-ND |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
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Befestigungsart | Surface Mount | |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 12V | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V | |
Typ FET | N-Channel | |
FET-Merkmal | - | |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 76.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 | |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 76.7A (Tc) |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP Semiconductors / Freescale PH8030L,115.
Produkteigenschaften | ![]() |
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Artikelnummer | PH8030L,115 | 2SK1449 | IXTP86N20T | PJA3406_R1_00001 |
Hersteller | NXP Semiconductors / Freescale | Sanyo | IXYS | Panjit International Inc. |
Supplier Device-Gehäuse | LFPAK56, Power-SO8 | - | TO-220-3 | SOT-23 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 25A, 10V | - | 29mOhm @ 500mA, 10V | 48mOhm @ 4.4A, 10V |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 12V | - | 4500 pF @ 25 V | 235 pF @ 15 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 76.7A (Tc) | - | 86A (Tc) | 4.4A (Ta) |
Befestigungsart | Surface Mount | - | Through Hole | Surface Mount |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | - | 10V | 4.5V, 10V |
Verlustleistung (max) | 62.5W (Tc) | - | 480W (Tc) | 1.25W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | - | TO-220-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen | 934058818115 PH8030L T/R PH8030L T/R-ND |
- | - | - |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
Vgs (Max) | ±20V | - | ±30V | ±20V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 76.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 | - | - | - |
Serie | TrenchMOS™ | * | Trench | - |
FET-Merkmal | - | - | - | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | - | 200 V | 30 V |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA | - | 5V @ 1mA | 2.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V | - | 90 nC @ 10 V | 5.8 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
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Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
Brasilien | 7 | |
Europa | Deutschland | 5 |
Großbritannien | 4 | |
Italien | 5 | |
Ozeanien | Australien | 6 |
Neuseeland | 5 | |
Asien | Indien | 4 |
Japan | 4 | |
Naher Osten | Israel | 6 |
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
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Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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