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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPHD108NQ03LT,118
PHD108NQ03LT,118 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PHD108NQ03LT,118 - NXP Semiconductors / Freescale

Hersteller Artikelnummer
PHD108NQ03LT,118
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PHD108NQ03LT,118
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
PHB,PHD,PHU108NQ03LT.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 3610

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Spezifikation

PHD108NQ03LT,118 Tech -Spezifikationen
NXP Semiconductors / Freescale - PHD108NQ03LT,118 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP Semiconductors / Freescale - PHD108NQ03LT,118

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 187W (Tc)  
Verpackung Tape & Reel (TR)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Andere Namen 934056957118
PHD108NQ03LT /T3
PHD108NQ03LT /T3-ND
 
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1375pF @ 12V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.3nC @ 4.5V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
detaillierte Beschreibung N-Channel 25V 75A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount DPAK  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP Semiconductors / Freescale PHD108NQ03LT,118.

Produkteigenschaften PHD108NQ03LT,118 PHD108NQ03LT PHD108NQ03 PHD1379
Artikelnummer PHD108NQ03LT,118 PHD108NQ03LT PHD108NQ03 PHD1379
Hersteller NXP Semiconductors / Freescale LUMILEDS LUMILEDS 0
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - - -
Typ FET N-Channel - - -
Serie TrenchMOS™ - - -
Andere Namen 934056957118
PHD108NQ03LT /T3
PHD108NQ03LT /T3-ND
- - -
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - -
Verlustleistung (max) 187W (Tc) - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 25A, 10V - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.3nC @ 4.5V - - -
FET-Merkmal - - - -
detaillierte Beschreibung N-Channel 25V 75A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount DPAK - - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - - -
Supplier Device-Gehäuse DPAK - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V - - -
Verpackung Tape & Reel (TR) - - -
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1375pF @ 12V - - -

PHD108NQ03LT,118 Datenblatt PDF

Laden Sie PHD108NQ03LT,118 PDF -Datenblätter und NXP Semiconductors / Freescale -Dokumentation für PHD108NQ03LT,118 - NXP Semiconductors / Freescale herunter.

Datenblätte
PHB,PHD,PHU108NQ03LT.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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