PHD34NQ10T,118 Tech -Spezifikationen
NXP Semiconductors / Freescale - PHD34NQ10T,118 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP Semiconductors / Freescale - PHD34NQ10T,118
Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
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Hersteller | NXP Semiconductors | |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
Vgs (Max) | ±20V | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Supplier Device-Gehäuse | DPAK | |
Serie | TrenchMOS™ | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 17A, 10V | |
Verlustleistung (max) | 136W (Tc) | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Andere Namen | 934055807118 PHD34NQ10T /T3 PHD34NQ10T /T3-ND |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
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Befestigungsart | Surface Mount | |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1704pF @ 25V | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V | |
Typ FET | N-Channel | |
FET-Merkmal | - | |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V | |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 35A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount DPAK | |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP Semiconductors / Freescale PHD34NQ10T,118.
Produkteigenschaften | ![]() |
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Artikelnummer | PHD34NQ10T,118 | PHD36N03LT,118 | PHD2N60E | PHD38N02LT MOS |
Hersteller | NXP Semiconductors / Freescale | NXP USA Inc. | LUMILEDS | Freescale / NXP Semiconductors |
Serie | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | - | - |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) | 43.4A (Tc) | - | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | 4.5V, 10V | - | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V | 18.5 nC @ 10 V | - | - |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
Supplier Device-Gehäuse | DPAK | DPAK | - | - |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | - |
Typ FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V | 30 V | - | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - |
Befestigungsart | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
Vgs (Max) | ±20V | ±20V | - | - |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1704pF @ 25V | 690 pF @ 25 V | - | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 17A, 10V | 17mOhm @ 25A, 10V | - | - |
FET-Merkmal | - | - | - | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
Verlustleistung (max) | 136W (Tc) | 57.6W (Tc) | - | - |
Andere Namen | 934055807118 PHD34NQ10T /T3 PHD34NQ10T /T3-ND |
- | - | - |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 35A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount DPAK | - | - | - |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | 2V @ 250µA | - | - |
Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
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Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
Brasilien | 7 | |
Europa | Deutschland | 5 |
Großbritannien | 4 | |
Italien | 5 | |
Ozeanien | Australien | 6 |
Neuseeland | 5 | |
Asien | Indien | 4 |
Japan | 4 | |
Naher Osten | Israel | 6 |
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
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Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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