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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysPMDPB65UP,115
PMDPB65UP,115 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PMDPB65UP,115 - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMDPB65UP,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PMDPB65UP,115
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-UDFN Exposed Pad
Datenblatt
PMDPB65UP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4940

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Anzahl

Spezifikation

PMDPB65UP,115 Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - PMDPB65UP,115 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - PMDPB65UP,115

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-HUSON (2x2)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 1A, 4.5V  
Leistung - max 520mW  
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer PMDPB  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. PMDPB65UP,115.

Produkteigenschaften PMDPB65UP,115 PMDPB70EN,115 PMDPB70EN,115 PMDPB58UPE,115
Artikelnummer PMDPB65UP,115 PMDPB70EN,115 PMDPB70EN,115 PMDPB58UPE,115
Hersteller NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V 4.5nC @ 10V 4.5nC @ 10V 9.5nC @ 4.5V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer PMDPB PMDPB70 PMDPB70 PMDPB58
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 30V 20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A 3.5A 3.5A 3.6A
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 950mV @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 10V 130pF @ 15V 130pF @ 15V 804pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 1A, 4.5V 57mOhm @ 3.5A, 10V 57mOhm @ 3.5A, 10V 67mOhm @ 2A, 4.5V
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 6-HUSON (2x2) 6-HUSON (2x2) 6-HUSON (2x2) 6-HUSON (2x2)
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Leistung - max 520mW 510mW 510mW 515mW

PMDPB65UP,115 Datenblatt PDF

Laden Sie PMDPB65UP,115 PDF -Datenblätter und NXP USA Inc. -Dokumentation für PMDPB65UP,115 - NXP USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Umweltinformationen
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 26/Dec/2012.pdf Multiple Devices Dec/2012.pdf
Datenblätter
PMDPB65UP.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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PMDPB65UP,115

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32D-PMDPB65UP,115

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