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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMF280UN,115
PMF280UN,115 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PMF280UN,115 - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMF280UN,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PMF280UN,115
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
PMF280UN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5200

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Anzahl

Spezifikation

PMF280UN,115 Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - PMF280UN,115 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - PMF280UN,115

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-70  
Serie TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340mOhm @ 200mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 560mW (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.89 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.02A (Tc)  
Grundproduktnummer PMF28  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. PMF280UN,115.

Produkteigenschaften PMF280UN,115 PMF170XP,115 PMF370XN,115 PMF290XN,115
Artikelnummer PMF280UN,115 PMF170XP,115 PMF370XN,115 PMF290XN,115
Hersteller NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc.
Supplier Device-Gehäuse SC-70 SOT-323 SOT-323 SC-70
Vgs (Max) ±8V ±12V ±12V ±12V
Grundproduktnummer PMF28 PMF170 PMF370 PMF29
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323
Verlustleistung (max) 560mW (Tc) 290mW (Ta), 1.67W (Tc) 560mW (Tc) 560mW (Tc)
Serie TrenchMOS™ - TrenchMOS™ TrenchMOS™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.02A (Tc) 1A (Ta) 870mA (Tc) 1A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 30 V 20 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.89 nC @ 4.5 V 3.9 nC @ 4.5 V 0.65 nC @ 4.5 V 0.72 nC @ 4.5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.15V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 4.5V 4.5V 2.5V, 4.5V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 20 V 280 pF @ 10 V 37 pF @ 25 V 34 pF @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340mOhm @ 200mA, 4.5V 200mOhm @ 1A, 4.5V 440mOhm @ 200mA, 4.5V 350mOhm @ 200mA, 4.5V

PMF280UN,115 Datenblatt PDF

Laden Sie PMF280UN,115 PDF -Datenblätter und NXP USA Inc. -Dokumentation für PMF280UN,115 - NXP USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Umweltinformationen
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Copper Wire Revision 07/May/2014.pdf SOT323 Copper Bond Wire 21/Dec/2013.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 05/Jul/2015.pdf
Datenblätter
PMF280UN.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-PMF280UN,115

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