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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMF63UN,115
PMF63UN,115 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PMF63UN,115 - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMF63UN,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PMF63UN,115
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
PMF63UN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4050

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Anzahl

Spezifikation

PMF63UN,115 Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - PMF63UN,115 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - PMF63UN,115

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-70  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74mOhm @ 1.8A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 275mW (Ta), 1.785W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 185 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.3 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A (Ta)  
Grundproduktnummer PMF63  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. PMF63UN,115.

Produkteigenschaften PMF63UN,115 PMF63UNEX PMF87EN,115 PMF77XN,115
Artikelnummer PMF63UN,115 PMF63UNEX PMF87EN,115 PMF77XN,115
Hersteller NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 185 pF @ 10 V 289 pF @ 10 V 135 pF @ 15 V 170 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.3 nC @ 4.5 V 5.85 nC @ 4.5 V 4.7 nC @ 10 V 2.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±8V ±8V ±20V ±12V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 30 V 30 V
Verlustleistung (max) 275mW (Ta), 1.785W (Tc) 395mW (Ta) 275mW (Ta) 270mW (Ta), 1.92W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer PMF63 PMF63 PMF87 PMF77
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74mOhm @ 1.8A, 4.5V 65mOhm @ 2A, 4.5V 80mOhm @ 1.7A, 10V 97mOhm @ 1.5A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.8A (Ta) 2.2A (Ta) 1.7A (Ta) 1.5A (Ta)
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse SC-70 SOT-323 SC-70 SC-70
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323

PMF63UN,115 Datenblatt PDF

Laden Sie PMF63UN,115 PDF -Datenblätter und NXP USA Inc. -Dokumentation für PMF63UN,115 - NXP USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Umweltinformationen
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
MCU Dip Supply Situation 12/May/2015.pdf Multiple Devices 01/Jul/2014.pdf
Datenblätter
PMF63UN.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-PMF63UN,115

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