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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMPB23XNEZ
NXP Semiconductors
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PMPB23XNEZ - NXP Semiconductors

Hersteller Artikelnummer
PMPB23XNEZ
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PMPB23XNEZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
PMPB23XNE - 20 V, SINGLE N-CHANN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-UDFN Exposed Pad
Datenblatt
PMPB23XNE.pdf
vorrätig: 479350

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Spezifikation

PMPB23XNEZ Tech -Spezifikationen
NXP Semiconductors - PMPB23XNEZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP Semiconductors - PMPB23XNEZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DFN2020MD-6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.7W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1136 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP Semiconductors PMPB23XNEZ.

Produkteigenschaften PMPB23XNEZ PMPB29XPEAX PMPB40SNA115 PMPB20EN,115
Artikelnummer PMPB23XNEZ PMPB29XPEAX PMPB40SNA115 PMPB20EN,115
Hersteller NXP Semiconductors Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 1.7W (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1136 pF @ 10 V 2970 pF @ 10 V 612 pF @ 30 V 435 pF @ 10 V
Verpackung / Gehäuse 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 60 V 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 4.5V 32.5mOhm @ 5A, 4.5V 43mOhm @ 4.8A, 10V 19.5mOhm @ 7A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta) 5A (Ta) 12.9A (Tc) 7.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie - Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DFN2020MD-6 DFN2020MD-6 DFN2020MD-6 DFN2020MD-6
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V 45 nC @ 4.5 V 24 nC @ 10 V 10.8 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

PMPB23XNEZ Datenblatt PDF

Laden Sie PMPB23XNEZ PDF -Datenblätter und NXP Semiconductors -Dokumentation für PMPB23XNEZ - NXP Semiconductors herunter.

Datenblätter
PMPB23XNE.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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