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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMR780SN,115
PMR780SN,115 Image
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PMR780SN,115 - NXP Semiconductors / Freescale

Hersteller Artikelnummer
PMR780SN,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PMR780SN,115
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 0.55A SOT416
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
PMR780SN,115.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 4980

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Spezifikation

PMR780SN,115 Tech -Spezifikationen
NXP Semiconductors / Freescale - PMR780SN,115 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP Semiconductors / Freescale - PMR780SN,115

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-75  
Serie TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 920 mOhm @ 300mA, 10V  
Verlustleistung (max) 530mW (Tc)  
Verpackung Tape & Reel (TR)  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Andere Namen 934057961115
PMR780SN T/R
PMR780SN T/R-ND
 
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23pF @ 30V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.05nC @ 10V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
detaillierte Beschreibung N-Channel 60V 550mA (Ta) 530mW (Tc) Surface Mount SC-75  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 550mA (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP Semiconductors / Freescale PMR780SN,115.

Produkteigenschaften PMR780SN,115 PMR280UN,115 PMR290XN,115 PMR290UNE,115
Artikelnummer PMR780SN,115 PMR280UN,115 PMR290XN,115 PMR290UNE,115
Hersteller NXP Semiconductors / Freescale NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Supplier Device-Gehäuse SC-75 SC-75 SC-75 SC-75
Vgs (Max) ±20V ±8V ±12V ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.05nC @ 10V 0.89 nC @ 4.5 V 0.72 nC @ 4.5 V 0.68 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 920 mOhm @ 300mA, 10V 340mOhm @ 200mA, 4.5V 350mOhm @ 200mA, 4.5V 380mOhm @ 500mA, 4.5V
detaillierte Beschreibung N-Channel 60V 550mA (Ta) 530mW (Tc) Surface Mount SC-75 - - -
Verpackung Tape & Reel (TR) - - -
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23pF @ 30V 45 pF @ 20 V 34 pF @ 20 V 83 pF @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 550mA (Ta) 980mA (Tc) 970mA (Tc) 700mA (Ta)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie TrenchMOS™ TrenchMOS™ TrenchMOS™ -
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 950mV @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Andere Namen 934057961115
PMR780SN T/R
PMR780SN T/R-ND
- - -
Verlustleistung (max) 530mW (Tc) 530mW (Tc) 530mW (Tc) 250mW (Ta), 770mW (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 20 V 20 V 20 V

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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PMR780SN,115

NXP Semiconductors / Freescale
32D-PMR780SN,115

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