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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMV40UN,215
PMV40UN,215 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PMV40UN,215 - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMV40UN,215
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PMV40UN,215
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 4.9A TO236AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
PMV40UN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4350

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Anzahl

Spezifikation

PMV40UN,215 Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - PMV40UN,215 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - PMV40UN,215

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA (Typ)  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 (TO-236AB)  
Serie TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 2A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.9W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 445 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.9A (Tc)  
Grundproduktnummer PMV4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. PMV40UN,215.

Produkteigenschaften PMV40UN,215 PMV37EN2R PMV45EN,215 PMV35EPER
Artikelnummer PMV40UN,215 PMV37EN2R PMV45EN,215 PMV35EPER
Hersteller NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Vgs (Max) ±8V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA (Typ) 2V @ 250µA 2V @ 1mA 3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 (TO-236AB) TO-236AB SOT-23 (TO-236AB) TO-236AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 2A, 4.5V 36mOhm @ 4.5A, 10V 42mOhm @ 2A, 10V 45mOhm @ 4.2A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V 6.3 nC @ 10 V 9.4 nC @ 10 V 19.2 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 1.9W (Tc) 510mW (Ta), 5W (Tc) 280mW (Tj) 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie TrenchMOS™ - TrenchMOS™ -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.9A (Tc) 4.5A (Ta) 5.4A (Tc) 5.3A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Grundproduktnummer PMV4 PMV37 PMV4 PMV35
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 445 pF @ 30 V 209 pF @ 15 V 350 pF @ 30 V 793 pF @ 15 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

PMV40UN,215 Datenblatt PDF

Laden Sie PMV40UN,215 PDF -Datenblätter und NXP USA Inc. -Dokumentation für PMV40UN,215 - NXP USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Umweltinformationen
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
MCU Dip Supply Situation 12/May/2015.pdf Multiple Devices 01/Jul/2014.pdf
Datenblätter
PMV40UN.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-PMV40UN,215

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