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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPSMN3R9-60XSQ
PSMN3R9-60XSQ Image
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PSMN3R9-60XSQ - NXP Semiconductors / Freescale

Hersteller Artikelnummer
PSMN3R9-60XSQ
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PSMN3R9-60XSQ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Datenblatt
PSMN3R9-60XSQ.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 5310

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Spezifikation

PSMN3R9-60XSQ Tech -Spezifikationen
NXP Semiconductors / Freescale - PSMN3R9-60XSQ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP Semiconductors / Freescale - PSMN3R9-60XSQ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 55W (Tc)  
Verpackung Tube  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Andere Namen 568-11430-5
934068135127
PSMN3R9-60XSQ-ND
 
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5494pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 103nC @ 10V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
detaillierte Beschreibung N-Channel 60V 75A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220F  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP Semiconductors / Freescale PSMN3R9-60XSQ.

Produkteigenschaften PSMN3R9-60XSQ PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ PSMN4R0-30YLDX
Artikelnummer PSMN3R9-60XSQ PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ PSMN4R0-30YLDX
Hersteller NXP Semiconductors / Freescale NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60 V 60 V 30 V
Andere Namen 568-11430-5
934068135127
PSMN3R9-60XSQ-ND
- - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220F TO-220AB TO-220AB LFPAK56, Power-SO8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 103nC @ 10V 103 nC @ 10 V 103 nC @ 10 V 19.4 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 TO-220-3 SC-100, SOT-669
Verpackung Tube - - -
detaillierte Beschreibung N-Channel 60V 75A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220F - - -
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5494pF @ 25V 5600 pF @ 25 V 5600 pF @ 25 V 1272 pF @ 15 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 130A (Tc) 130A (Tc) 95A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 1mA 2.2V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 55W (Tc) 263W (Tc) 263W (Tc) 64W (Tc)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Serie - - - TrenchMOS™
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 25A, 10V 3.9mOhm @ 25A, 10V 3.9mOhm @ 25A, 10V 4mOhm @ 25A, 10V

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NXP Semiconductors / Freescale
32D-PSMN3R9-60XSQ

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