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Zuhause Produkte Diskrete Halbleiter-Produkte Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel~~PSMN9R5-30YLC,115~~

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PSMN9R5-30YLC,115 - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer: PSMN9R5-30YLC,115

Hersteller: NXP Semiconductors

Allelco Artikelnummer: 32D-PSMN9R5-30YLC,115

ECAD -Modell

Teile Beschreibung: NEXPERIA PSMN9R5-30YLC - 44A, 30

detaillierte Beschreibung

Verpackung: SC-100, SOT-669

Datenblatt: ~~PSMN9R5-30YLC,115.pdf~~

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vorrätig: 5060

Spezifikation

PSMN9R5-30YLC,115 Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - PSMN9R5-30YLC,115 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - PSMN9R5-30YLC,115

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	NXP Semiconductors
VGS (th) (Max) @ Id	1.95V @ 1mA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	LFPAK56, Power-SO8
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.8mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)	34W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	SC-100, SOT-669
Paket	Bulk

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	681 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.4 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	44A (Tc)

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. PSMN9R5-30YLC,115.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	PSMN9R5-30YLC,115	PSMNR58-30YLHX	PSMNR51-25YLHX	PSMN8R7-100YSFX
Hersteller	NXP USA Inc.	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
FET-Merkmal	-	-	-	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.4 nC @ 10 V	188 nC @ 10 V	113 nC @ 10 V	-
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	-
Verpackung / Gehäuse	SC-100, SOT-669	SOT-1023, 4-LFPAK	SOT-1023, 4-LFPAK	-
Paket	Bulk	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse	LFPAK56, Power-SO8	LFPAK56, Power-SO8	LFPAK56; Power-SO8	-
VGS (th) (Max) @ Id	1.95V @ 1mA	2.2V @ 2mA	2.2V @ 2mA	-
Serie	-	-	-	-
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	-
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	-
Verlustleistung (max)	34W (Tc)	333W (Ta)	333W (Ta)	-
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	681 pF @ 15 V	6160 pF @ 15 V	6990 pF @ 12 V	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.8mOhm @ 15A, 10V	0.67mOhm @ 25A, 10V	0.57mOhm @ 25A, 10V	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V	-
Vgs (Max)	±20V	±20V	±20V	-
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	44A (Tc)	380A (Ta)	380A (Ta)	90A (Tj)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V	30 V	25 V	-

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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