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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysMBR12020CT
GeneSiC Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MBR12020CT - GeneSiC Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
MBR12020CT
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-MBR12020CT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Twin Tower
Datenblatt
MBR12020CT thru MBR12040CTR.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 454

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Anzahl

Spezifikation

MBR12020CT Tech -Spezifikationen
GeneSiC Semiconductor - MBR12020CT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GeneSiC Semiconductor - MBR12020CT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GeneSiC Semiconductor  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 650 mV @ 120 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 20 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse Twin Tower  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Chassis Mount  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 3 mA @ 20 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 120A (DC)  
Grundproduktnummer MBR12020  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GeneSiC Semiconductor MBR12020CT.

Produkteigenschaften MBR12020CT MBR120150WT MBR12045CT MBR12040CT
Artikelnummer MBR12020CT MBR120150WT MBR12045CT MBR12040CT
Hersteller GeneSiC Semiconductor SMC Diode Solutions GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Befestigungsart Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Serie - - - -
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 3 mA @ 20 V 2 mA @ 150 V 3 mA @ 20 V 3 mA @ 20 V
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Grundproduktnummer MBR12020 MBR120150 MBR12045 MBR12040
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower TO-247AD Twin Tower Twin Tower
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 650 mV @ 120 A 950 mV @ 60 A 650 mV @ 60 A 650 mV @ 120 A
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 120A (DC) 60A 120A (DC) 120A (DC)
Verpackung / Gehäuse Twin Tower TO-247-3 Twin Tower Twin Tower
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Spannung - Sperr (Vr) (max) 20 V 150 V 45 V 40 V
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Paket Bulk Tube Bulk Bulk

MBR12020CT Datenblatt PDF

Laden Sie MBR12020CT PDF -Datenblätter und GeneSiC Semiconductor -Dokumentation für MBR12020CT - GeneSiC Semiconductor herunter.

Datenblätter
MBR12020CT thru MBR12040CTR.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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