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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysMBR30060CT
GeneSiC Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MBR30060CT - GeneSiC Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
MBR30060CT
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-MBR30060CT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE MODULE 60V 150A 2TOWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Twin Tower
Datenblatt
MBR30045CT thru MBR300100CTR.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 384

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Anzahl

Spezifikation

MBR30060CT Tech -Spezifikationen
GeneSiC Semiconductor - MBR30060CT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GeneSiC Semiconductor - MBR30060CT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GeneSiC Semiconductor  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 750 mV @ 150 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 60 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse Twin Tower  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Chassis Mount  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 8 mA @ 20 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 150A  
Grundproduktnummer MBR30060  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GeneSiC Semiconductor MBR30060CT.

Produkteigenschaften MBR30060CT MBR30045CTL MBR30100CT MBR30100CT
Artikelnummer MBR30060CT MBR30045CTL MBR30100CT MBR30100CT
Hersteller GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor Diotec Semiconductor SMC Diode Solutions
Paket Bulk Bulk Tube Tube
Spannung - Sperr (Vr) (max) 60 V 45 V 100 V 100 V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 750 mV @ 150 A 600 mV @ 150 A 850 mV @ 15 A 850 mV @ 15 A
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 150A 150A 15A -
Grundproduktnummer MBR30060 - - MBR30100
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower Twin Tower TO-220AB TO-220AB
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -50°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 8 mA @ 20 V 5 mA @ 45 V 50 µA @ 100 V 1 mA @ 100 V
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse Twin Tower Twin Tower TO-220-3 TO-220-3

MBR30060CT Datenblatt PDF

Laden Sie MBR30060CT PDF -Datenblätter und GeneSiC Semiconductor -Dokumentation für MBR30060CT - GeneSiC Semiconductor herunter.

Datenblätter
MBR30045CT thru MBR300100CTR.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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