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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysMBR40030CT
GeneSiC Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MBR40030CT - GeneSiC Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
MBR40030CT
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-MBR40030CT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Twin Tower
Datenblatt
MBR40020CT thru MBR40040CTR.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 307

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Anzahl

Spezifikation

MBR40030CT Tech -Spezifikationen
GeneSiC Semiconductor - MBR40030CT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GeneSiC Semiconductor - MBR40030CT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GeneSiC Semiconductor  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 650 mV @ 200 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 30 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse Twin Tower  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Chassis Mount  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 mA @ 20 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 200A  
Grundproduktnummer MBR40030  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GeneSiC Semiconductor MBR40030CT.

Produkteigenschaften MBR40030CT MBR400200CT MBR40100CT MBR40100CT
Artikelnummer MBR40030CT MBR400200CT MBR40100CT MBR40100CT
Hersteller GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor SMC Diode Solutions Yangjie Technology
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 mA @ 20 V 3 mA @ 200 V 1 mA @ 100 V 100 µA @ 100 V
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 175°C
Paket Bulk Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower Twin Tower TO-220AB TO-220AB
Verpackung / Gehäuse Twin Tower Twin Tower TO-220-3 TO-220-3
Spannung - Sperr (Vr) (max) 30 V 200 V 100 V 100 V
Grundproduktnummer MBR40030 MBR400200 MBR40100 MBR40100
Serie - - - -
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 200A 200A - 40A
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 650 mV @ 200 A 920 mV @ 200 A 880 mV @ 20 A 850 mV @ 20 A

MBR40030CT Datenblatt PDF

Laden Sie MBR40030CT PDF -Datenblätter und GeneSiC Semiconductor -Dokumentation für MBR40030CT - GeneSiC Semiconductor herunter.

Datenblätter
MBR40020CT thru MBR40040CTR.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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