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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysMBR50030CT
GeneSiC Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MBR50030CT - GeneSiC Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
MBR50030CT
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-MBR50030CT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE MODULE 30V 250A 2TOWER
detaillierte Beschreibung
Verpackung
Twin Tower
Datenblatt
MBR50020CT thru MBR50040CTR.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 4260

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Anzahl

Spezifikation

MBR50030CT Tech -Spezifikationen
GeneSiC Semiconductor - MBR50030CT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie GeneSiC Semiconductor - MBR50030CT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller GeneSiC Semiconductor  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 750 mV @ 250 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 30 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse Twin Tower  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Chassis Mount  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 mA @ 20 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 250A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie GeneSiC Semiconductor MBR50030CT.

Produkteigenschaften MBR50030CT MBR50020CT MBR41H100CTG MBR40L45CTG
Artikelnummer MBR50030CT MBR50020CT MBR41H100CTG MBR40L45CTG
Hersteller GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor onsemi onsemi
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 750 mV @ 250 A 750 mV @ 250 A 800 mV @ 20 A 500 mV @ 20 A
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C 175°C (Max) -65°C ~ 175°C
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse Twin Tower Twin Tower TO-220-3 TO-220-3
Spannung - Sperr (Vr) (max) 30 V 20 V 100 V 45 V
Serie - - SWITCHMODE™ SWITCHMODE™
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 mA @ 20 V 1 mA @ 20 V 10 µA @ 100 V 1.2 mA @ 45 V
Supplier Device-Gehäuse Twin Tower Twin Tower TO-220 TO-220
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 250A 250A 20A 20A
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Paket Bulk Bulk Tube Tube
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

MBR50030CT Datenblatt PDF

Laden Sie MBR50030CT PDF -Datenblätter und GeneSiC Semiconductor -Dokumentation für MBR50030CT - GeneSiC Semiconductor herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf
Datenblätter
MBR50020CT thru MBR50040CTR.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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